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国信证券-东微半导-688261-深度报告:高性能功率器件的技术引领者-221228

作者:小编 日期:2024-07-16 13:26:31 点击数:

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  是国内高性能功率器件的头部设计公司,18-21年公司扣非归母净利润年均复合增速达95.1%。【慧博投研资讯】公司专注于半导体器件结构技术创新,拥有多项半导体器件核心专利,以高压超级结MOSFET为代表的产品打破了大功率直流充电桩等领域国外厂商的长期垄断。(慧博投研资讯)公司18-21年进入高速成长期,营业收入年均复合增速为72.3%;扣非归母净利润年均复合增速为95.1%。超级结MOSFET国产化率仍低,汽车、新能源与5G等应用带来功率器件增量需求。超级结MOSFET是突破“硅极限”的高端功率器件,目前国产化率仅18%,有较大的存量替代空间。此外,超级结MOSFET的耐压特性及导通性能主要适用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩及各类大功率电源中,因此在汽车、新能源与5G带来的增量场景驱动下,25年全球超级结MOSFET市场有望由22年10.5亿美元增至12亿美元。

  公司产品性能比肩国际一流厂商,研发成果转换效率高。公司器件设计能力强,以公司超级结GreenMOS系列产品为例,通过自主器件设计和工艺优化,产品性能已达国际一流水平,是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一。21年公司研发人员占比达44%,人均营收贡献1043万元,远超行业平均水平,研发成果转换效率高。

  公司1H22汽车与工业级应用占比已超70%,客户覆盖各领域行业龙头。截至1H22,公司直流充电桩收入(YoY+60%)占比超17%,光伏逆变器收入(YoY+300%)占比约10%,车载充电机收入(YoY+1350%)占比超14%,各类工业及通信电源收入(YoY+58%)占比约21%;客户覆盖比亚迪、客户A、麦格米特、昱能科技与宁德时代等各领域龙头厂商。在多领域需求驱动下,公司3Q22库存周转天数约为66.4天,明显低于行业平均水平(111.6天)。

  公司器件产品不断革新,TGBT与碳化硅等新产品打开增长空间。预计22-25年全球IGBT市场将12.1%复合增速增长至136亿美元,碳化硅器件市场将以42%复合增速增长至43亿美元,行业处于加速渗透期。公司自主设计的新产品IGBT(TGBT)与超级硅已获客户认可并批量应用,碳化硅相关产品已推出,未来有望随行业发展加速渗透,成为公司新的增长点。

  盈利预测与估值:我们看好公司器件设计与工艺实现的技术能力,预计22-24年归母净利润有望实现2.79/3.98/5.36亿元,对应增速89.8%/42.6%/34.9%。我们预计公司合理估值为306.7-338.1元,维持买入评级。

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